| 发明名称 | 用于3D AMR的氮化钽刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于3D AMR的氮化钽刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底上依次沉积有镍铁合金层、氮化钽层和氮化硅层；采用含氯气体刻蚀所述氮化硅层和氮化钽层，以形成开口；刻蚀去除光刻胶。本发明采用含氯气体直接对氮化钽进行刻蚀处理，使得刻蚀的残留聚合物大量减少，无需再通过使用CF<sub>4</sub>和O<sub>2</sub>的混合气体进行处理开口表面来去除开口附近的残留聚合物即可获得清晰的开口图案，即节省了工艺步骤，降低了生产成本，也获得了更加干净的器件。此外，由于残留物的减少，使得开口尺寸更佳便于控制，因此器件的尺寸精确度也得以提高，进而增加了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104835908A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510189308.X | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 熊磊;奚裴;张振兴 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种用于3D AMR的氮化钽刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，衬底上依次沉积有镍铁合金层、氮化钽层和氮化硅层；采用含氯气体刻蚀所述氮化硅层和氮化钽层，以形成开口；刻蚀去除光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||