发明名称 一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器
摘要 本申请公开了一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器,本申请的跨导放大器采用两组源简并差分放大器构成,其中一组放大器由第七PMOS管、第八PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管组成,一组放大器由第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管以及第十二PMOS管组成,两组放大器的输出端交叉连接,从而可以利用电流相减的方式消除三次项谐波,从而实现跨导放大器的低功耗高线性度。进而由所述跨导放大器模拟得到的电阻、电感、以及由所述电阻和/或电感构成的电路也可以实现低功耗高线性度。
申请公布号 CN102723919B 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201210212651.8 申请日期 2012.06.21
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 程序;郭桂良;阎跃鹏
分类号 H03F3/45(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I;H01C1/16(2006.01)I;H03L7/093(2006.01)I 主分类号 H03F3/45(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种跨导放大器,其特征在于,包括:第一NMOS管的栅极连接跨导放大器的调谐电压输入端;第一NMOS管的源极接地,漏极连接第二PMOS管的漏极;第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管的栅极、源极分别对应连接;且,第二PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极连接;第二PMOS管的源极连接跨导放大器的电源电压输入端;第三PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管的漏极、第六PMOS管的源极以及第七PMOS管的源极;第四PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管的源极、第六PMOS管的漏极以及第八PMOS管的源极;第十三PMOS管的漏极分别连接第九PMOS管的源极、第十一PMOS管的源极以及第十二PMOS管的漏极;第十四PMOS管的漏极分别连接第十PMOS管的源极、第十一PMOS管的漏极以及第十二PMOS管的源极;第六PMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极以及第十一PMOS管的栅极均与跨导放大器的负相输入端连接;第五PMOS管的栅极、第七PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极以及第十二PMOS管的栅极均与跨导放大器的正相输入端连接;第十五NMOS管的栅极与第十六NMOS管的栅极连接,且连接跨导放大器的共模反馈电压端;第十五NMOS管的源极以及第十六NMOS管的源极接地;第七PMOS管的漏极、第九PMOS管的漏极以及第十五NMOS管的漏极均与跨导放大器的负相输出端连接;第八PMOS管的漏极、第十PMOS管的漏极以及第十六NMOS管的漏极均与跨导放大器的正相输出端连接;所述跨导放大器的设计公式为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mfrac><msub><mi>I</mi><mn>1</mn></msub><msub><mi>I</mi><mn>2</mn></msub></mfrac><msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mn>2</mn><mo>+</mo><msqrt><msub><mi>I</mi><mrow><mi>T</mi><mn>1</mn></mrow></msub><msub><mi>K</mi><mn>1</mn></msub></msqrt><mrow><mo>(</mo><mfrac><mn>1</mn><msub><mi>g</mi><mrow><mi>m</mi><mn>5,6</mn></mrow></msub></mfrac><mo>+</mo><msub><mi>R</mi><mrow><mi>&theta;</mi><mn>1</mn></mrow></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><mn>2</mn><mo>+</mo><msqrt><msub><mi>I</mi><mrow><mi>T</mi><mn>2</mn></mrow></msub><msub><mi>K</mi><mn>2</mn></msub></msqrt><mrow><mo>(</mo><mfrac><mn>1</mn><msub><mi>g</mi><mrow><mi>m</mi><mn>11,12</mn></mrow></msub></mfrac><mo>+</mo><msub><mi>R</mi><mrow><mi>&theta;</mi><mn>2</mn></mrow></msub><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mn>8</mn></msup><mo>=</mo><msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><msub><mrow><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>/</mo><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow><mn>1</mn></msub><msub><mrow><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>/</mo><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow><mn>2</mn></msub></mfrac><mo>)</mo></mrow><mn>3</mn></msup></mrow>]]></math><img file="FDA0000720542230000011.GIF" wi="893" he="274" /></maths>其中,I<sub>1</sub>为由第七PMOS管和第八PMOS管构成的第一组放大器的输出电流;I<sub>2</sub>为由第九PMOS和第十PMOS管构成的第二组放大器的输出电流;K<sub>1</sub>为电流I<sub>1</sub>的系数;K<sub>2</sub>为电流I<sub>2</sub>的系数;I<sub>T1</sub>表示温度为T时I<sub>1</sub>的值;I<sub>T2</sub>表示温度为T时I<sub>2</sub>的值;g<sub>m5,6</sub>表示第五PMOS管和第六PMOS管的等效跨导;g<sub>m11,12</sub>表示第十一PMOS管和第十二PMOS管的等效跨导;R<sub>θ1</sub>为与第五PMOS管和第六PMOS管的迁移率饱和效应等效的源简并电阻;R<sub>θ2</sub>为与第十一PMOS管和第十二PMOS管的迁移率饱和效应等效的源简并电阻;(W/L)<sub>1</sub>为所述第一组放大器的MOS管宽长比;(W/L)<sub>2</sub>为所述第二组放大器的MOS管宽长比。
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