| 发明名称 | 一种用于等离子体处理装置的载片台 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其中，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极；第三介电质层，其植入所述第一电介质层中，其中，所述第三介电质层和所述第一介电质层的介电常数不同。本发明还提供了一种包括上述载片台的等离子体处理装置。本发明能够改善边缘效应，提高制程均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN103227083B | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201210021956.0 | 申请日期 | 2012.01.31 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 陶铮;凯文·佩尔斯;松尾裕史;曹雪操 |
| 分类号 | H01J37/04(2006.01)I;H01J37/20(2006.01)I;H01J37/305(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极；第三介电质层，其植入所述第一电介质层中，其中，所述第三介电质层和所述第一电介质层的介电值不同。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||