| 发明名称 | 一种EEPROM存储器件以及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种EEPROM存储器件以及制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高压晶体管的栅极和存储器件的浮栅；在所述高压晶体管的栅极和所述浮栅上沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上沉积控制栅材料层；蚀刻所述控制栅材料层和所述栅极介电层，以在所述浮栅上方形成控制栅，同时在所述高压晶体管的栅极的侧壁上形成由所述控制栅材料层形成的第一间隙壁；在所述高压晶体管的栅极的第一间隙壁上以及所述控制栅的侧壁上形成第二间隙壁。所述方法具有以下优点：（1）该工艺过程并没有牺牲其他工艺窗口，也没增加额外的生产成本；（2）所述方法增加工艺余裕（margin），能够更加有助于器件尺寸的进一步缩小。 | ||
| 申请公布号 | CN104835791A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410046805.X | 申请日期 | 2014.02.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵晓燕;张冬平;郭兵;方虹 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种EEPROM存储器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高压晶体管的栅极和存储器件的浮栅；在所述高压晶体管的栅极和所述浮栅上沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上沉积控制栅材料层；蚀刻所述控制栅材料层和所述栅极介电层，以在所述浮栅上方形成控制栅，同时在所述高压晶体管的栅极的侧壁上形成由所述控制栅材料层形成的第一间隙壁；在所述高压晶体管的栅极的第一间隙壁上以及所述控制栅的侧壁上形成第二间隙壁。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||