发明名称 无偏差的晶片缺陷样本
摘要 本发明提供用于产生无偏差的晶片缺陷样本的方法及系统。一种方法包含选择由在晶片上执行的多次扫描中的每一者检测的具有在一或多个缺陷属性中的最大相异度的缺陷,使得跨每一扫描选择一组相异缺陷。另外,所述方法可包含选择所述缺陷,使得所选择且为所述扫描中的两者或两者以上所共有的任何缺陷不被选择两次且所选择的任何缺陷相对于所述共有所选缺陷是相异的。此外,可不在所述缺陷的选择之前执行所述缺陷的取样、分选或分类,使得经取样的缺陷不会因任何取样、分选或分类方法而具有偏差。
申请公布号 CN104838423A 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201380063392.X 申请日期 2013.11.08
申请人 科磊股份有限公司 发明人 马丁·普利哈尔;维迪亚萨加尔·安娜娜萨;萨拉万娜·帕拉马西万;克里斯托弗·W·李
分类号 G06T7/00(2006.01)I 主分类号 G06T7/00(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种用于产生晶片的缺陷样本的计算机实施方法,其包括:识别缺陷组中的两者或两者以上所共有的个别缺陷,其中通过对晶片的多次扫描中的一不同扫描产生所述缺陷组中的每一者;获取两个或两个以上取样参数组,一个取样参数组用于所述多次扫描中的每一者,使得所述两个或两个以上取样参数组中的每一者对应于所述缺陷组中的一者,其中所述两个或两个以上取样参数组是由用户彼此独立地选择,且其中所述两个或两个以上取样参数组中的每一者包括一或多个缺陷属性;基于所述两个或两个以上取样参数组从所述缺陷组中的每一者选择缺陷,其中所述选择包括:从所述缺陷组中的每一者选择缺陷,所述缺陷具有在对应于所述缺陷组中的每一者的所述取样参数组中的所述一或多个缺陷属性方面的最大相异度;以及如果选自所述缺陷组中的第一者的所述缺陷包括所述第一缺陷组与所述缺陷组中的至少第二者所共有的所述个别缺陷中的一者,那么:从所述第二缺陷组选择缺陷,所述缺陷相对于所述个别缺陷中的所述一者的在对应于所述第二缺陷组的所述取样参数组中的所述一或多个缺陷属性是相异的;以及不选择与所述个别缺陷中的所述一者有共同之处的所述第二缺陷组中的缺陷;以及创建包括选自所述缺陷组中的每一者的所述缺陷的所述晶片的缺陷样本,其中通过计算机系统执行所述识别、所述获取、所述选择及所述创建。
地址 美国加利福尼亚州