半导体装置的制造方法

摘要

在具有激活区域和终端区域的半导体衬底(1)的主面上形成绝缘膜(2)。对激活区域上的绝缘膜(2)进行蚀刻而形成开口(3)。使用绝缘膜(2)作为掩模，一边使半导体衬底(1)旋转，一边从相对于半导体衬底(1)的主面的法线方向倾斜大于或等于20°的方向向半导体衬底(1)注入杂质，在激活区域形成扩散层(7)。扩散层(7)与开口(3)相比延伸至终端区域侧的绝缘膜(2)的下方。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在具有激活区域和终端区域的半导体衬底的主面上形成绝缘膜，并对所述激活区域上的所述绝缘膜进行蚀刻而形成第1开口；以及使用所述绝缘膜作为掩模，一边使所述半导体衬底旋转，一边从相对于所述半导体衬底的所述主面的法线方向倾斜大于或等于20°的方向向所述半导体衬底注入杂质，在所述激活区域形成扩散层，所述扩散层与所述第1开口相比延伸至所述终端区域侧的所述绝缘膜的下方。