| 发明名称 | 一种晶体硅太阳电池的制备方法及其侧边激光隔离方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的侧边激光隔离方法，利用激光在半成品太阳电池的侧边绕刻一周，将半成品太阳电池侧边的pn结隔断，形成一隔离槽。本发明还公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法。本发明实现对常规太阳电池及n型双面电池等特殊电池的pn结隔离，降低太阳电池的因有效面积损失而带来的效率损失，使太阳电池的效率损失降低到0.1%abs及以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104835875A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510188915.4 | 申请日期 | 2015.04.20 |
| 申请人 | 上海大族新能源科技有限公司;大族激光科技产业集团股份有限公司 | 发明人 | 高云峰;刘成法;刘超;张松;徐大超;王鹏磊;季海晨 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 徐雯琼;尹兵 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳电池的侧边激光隔离方法，其特征在于，利用激光在半成品太阳电池的侧边绕刻一周，将半成品太阳电池侧边的pn结隔断，形成一隔离槽。 | ||
| 地址 | 201114 上海市闵行区苏召路1628号1幢1120室 | ||