| 发明名称 | 硅-碳-氮化物的选择性蚀刻 | ||
| 摘要 | 兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含-硅-氮-和-碳材料的方法，该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在基板处理区域该等离子体流出物与含-硅-氮-和-碳材料的曝露区域反应。该等离子体流出物与该图案化异质结构反应，以选择性地从该曝露的含-硅-氮-和-碳材料区域去除含-硅-氮-和-碳材料，同时非常缓慢地去除选定的其他曝露材料。该含-硅-氮-和-碳材料的选择性部分是由位于远程等离子体和基板处理区域之间的离子抑制元件的存在所致。该离子抑制元件控制到达基板的离子性带电物种的数量。可以使用该方法来以比曝露的氧化硅或曝露的氮化硅更快的速率选择性地去除含-硅-氮-和-碳材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104838479A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201380048686.5 | 申请日期 | 2013.08.29 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 陈智君;张景春;王安川;N·K·英格尔 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻一图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳区域，该方法包含：使一含氟前驱物和一含氧前驱物中的每一者流入流体耦接至所述基板处理区域的远程等离子体区域，同时在所述等离子体区域中形成等离子体，以产生等离子体流出物；以及藉由使所述等离子体流出物经由喷洒头中的通孔流入所述基板处理区域而蚀刻所述曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||