化学机械抛光组合物和方法

摘要

化学机械抛光组合物和方法。提供了一种化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物基本上由作为初始组分的下述物质组成：水；0.01-0.5wt％的唑抑制剂；0.01-0.5wt％的络合剂；0-1.0wt％的卤化铵；0.01-1wt％的含磷试剂，其中，含磷试剂为磷酸；0.05-1.0wt％的水溶助剂；0-5.0wt％的氧化剂；0.005-1.0wt％的聚乙烯基烷基醚；0-0.01wt％的杀生物剂，其中，杀生物剂为噻唑啉衍生物；以及，pH调节剂；其中，化学机械抛光组合物设计的抛光pH为8-12；以及，其中，化学机械抛光组合物显示出稳定的制造级的低k介电材料去除速率。

主权项

一种化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物基本上由作为初始组分的下述物质组成：水；0.01‑0.5wt％的唑抑制剂，其中，唑抑制剂选自苯并三唑、巯基苯并三唑、甲苯并三唑、咪唑及其组合；0.01‑0.5wt％的络合剂，其中，络合剂选自柠檬酸、乳酸、苹果酸、马来酸、丙二酸、草酸、酒石酸及葡萄糖酸；0‑1.0wt％的卤化铵，其中，卤化铵选自氯化铵、溴化铵及氟化铵；0.01‑1wt％的含磷试剂，其中，含磷试剂为磷酸；0.05‑1.0wt％的水溶助剂，其中，水溶助剂选自苯磺酸盐、C_1‑4烷基苯磺酸盐、二‑C_1‑4烷基苯磺酸盐、C_5‑10烷基磺酸盐及其盐；0.1‑40wt％的胶体二氧化硅磨料；0‑5.0wt％的氧化剂；0.005‑1.0wt％的聚乙烯基烷基醚；0‑0.01wt％的杀生物剂，其中，杀生物剂为噻唑啉衍生物；以及，pH调节剂；其中，化学机械抛光组合物设计的抛光pH为8‑12；以及，其中，化学机械抛光组合物显示出稳定的制造级的低k介电材料去除速率。