| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN104835850A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510215816.0 | 申请日期 | 2010.06.22 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;细羽幸;野田耕生;大原宏树;佐佐木俊成;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括氧化物半导体层的晶体管，其中，在300℃附近的水的峰值不被所述氧化物半导体层的热解吸能谱学测量检测到。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||