| 发明名称 | 电阻式随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、介电层、至少一第一纳米结构及第二电极。介电层设置于第一电极上。第一纳米结构设置于第一电极与介电层之间，且第一纳米结构包括多个第一群聚型金属纳米粒子及多个第一包覆型金属纳米粒子。第一群聚型金属纳米粒子设置于第一电极上。第一包覆型金属纳米粒子包覆第一群聚型金属纳米粒子，其中第一群聚型金属纳米粒子的扩散系数大于第一包覆型金属纳米粒子的扩散系数。第二电极设置于介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN104835909A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410099409.3 | 申请日期 | 2014.03.18 |
| 申请人 | 力晶科技股份有限公司 | 发明人 | 陈菁华;林展庆 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器，包括：第一电极；介电层，设置于该第一电极上；至少一第一纳米结构，设置于该第一电极与该介电层之间，且该第一纳米结构包括：多个第一群聚型金属纳米粒子，设置于该第一电极上；以及多个第一包覆型金属纳米粒子，包覆该些第一群聚型金属纳米粒子，其中该些第一群聚型金属纳米粒子的扩散系数大于该些第一包覆型金属纳米粒子的扩散系数；以及第二电极，设置于该介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||