可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，涉及二极管技术领域。所述二极管包括位于衬底上的第一金属电极组件、第二金属电极组件、第一二极管组件和第二二极管组件，所述二极管通过将一端的金属电极组件分成两个小的分电极组件，可以在两个小的分电极组件上引入直流馈电，增加直流偏置，可选择偏置使二极管工作在变容管状态或变阻管状态，工作在容性状态，可以获得较好的倍频效率，工作在阻性状态，可以获得较大的工作带宽。

主权项

一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，所述二级管包括位于衬底（1）上的第一金属电极组件（2）、第二金属电极组件（3）、第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5），所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）位于第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）之间，所述第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）从下到上为第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs（7）、第一二氧化硅层（8）和第一金属电极层（9），所述第一金属电极层（9）内嵌于所述第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs层（7）和第一二氧化硅层（8），且第一金属电极层（9）上表面的高度大于第一二氧化硅层（8）上表面的高度，第一肖特基接触金属层（10）内嵌于所述第一二氧化硅层（8），且第一肖特基接触金属层（10）与第一低掺杂GaAs层（7）相接触；所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）从下到上为第二重掺杂GaAs层（11）、第二低掺杂GaAs（12）、第二二氧化硅层（13）和第二金属电极层（14），所述第二金属电极层（14）内嵌于所述第二重掺杂GaAs层（11）、第二低掺杂GaAs层（12）和第二二氧化硅层（13），且第二金属电极层（14）上表面的高度大于第二二氧化硅层（13）上表面的高度，第二肖特基接触金属层（15）内嵌于所述第二二氧化硅层（13），且第二肖特基接触金属层（15）与第二低掺杂GaAs层（12）相接触；其特征在于：所述第二金属电极组件（3）沿左右方向被分割成两个分电极组件，所述第一金属电极组件（2）上的第一金属电极层（9）通过金属空气桥（16）与第一二极管组件（4）上的第二肖特基接触金属层（15）连接，所述第一二极管组件（4）上的第二金属电极层（14）与第一分电极组件（31）上的第一肖特基接触金属层（10）通过金属空气桥（16）连接，第二分电极组件（32）上的第一金属电极层（9）通过金属空气桥（16）与第二二极管组件（5）上的第二肖特基接触金属层（15）连接，所述第二二极管组件（5）上的第二金属电极层（14）通过金属空气桥（16）与第一金属电极组件（2）上的第一肖特基接触金属层（10）连接。