具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜

摘要

本发明公开了一种具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜，按照1∶1取纯度大于99.5％的BaCO₃和SnO₂粉末；分别在1300℃和1400℃预烧，把预烧后的材料研磨压制成圆片，再经过煅烧，制备致密的BaSnO₃陶瓷靶；放入脉冲激光沉积系统中，在MgO单晶基片上制备具有钙钛矿结构的未掺杂BaSnO₃薄膜。本发明通过改变薄膜的制备氧压，提高外延薄膜生长质量，减少界面的缺陷进而提高其性能；在0.3Pa的氧压下利用脉冲激光沉积薄膜，其室温导电率为8.07×10^-4Ωcm，不仅可见光学透过率没有降低，且具有非常低电阻率，该新型透明导电氧化物薄膜和其在透明电子器件中的应用具有重要的意义。

主权项

一种具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜，其特征在于：按照1∶1的质量比取纯度大于99.0％的BaCO₃和SnO₂的粉末；分别在1300℃和1400℃的高温炉里预烧，把预烧后的材料研磨压制成圆片，再经过1500℃煅烧，制备致密的BaSnO₃的陶瓷靶；把BaSnO₃陶瓷靶放入脉冲激光沉积系统中，在780℃、20～0.03Pa的条件下，在MgO单晶基片上制备具有钙钛矿结构的未掺杂BaSnO₃薄膜；该薄膜是从20Pa至0.03Pa一系列的氧压下制备的欠氧BaSnO₃薄膜；随着沉积氧压的逐渐降低BaSnO₃薄膜从绝缘体逐渐转变为具有金属电导行为的导电薄膜。