发明名称 CVD PLASMA GENERATION DEVICE CVD DEVICE AND PLASMA TREATMENT PARTICLE GENERATION DEVICE
摘要 <p>본 발명은, 원료 가스를 전극 셀이 배치된 하우징 내로 공급하였다고 하여도, 하우징 내에 배설되어 있는 전기 급전부나 전극면이 부식이나, 전극 셀의 방전부 이외의 하우징 내부에서의 금속의 퇴적이라는 문제가 발생하는 일 없는, 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 그리고, 본 발명에 관한 플라즈마 발생 장치(100)는, 전극 셀과, 당해 전극 셀을 둘러싸는 하우징(16)을 구비하고 있다. 전극 셀은, 제1의 전극(3)과, 방전 공간(6)을 통하여 제1의 전극(3)과 대면하여 있는 제2의 전극(1)과, 각 전극(1, 3)의 주면에 배치되는 유전체(2a, 2b)를 갖고 있다. 또한, 플라즈마 발생 장치(100)는, 전극 셀이 배설되지 않은 하우징(16) 내부의 공간과 접속하는 일 없이, 하우징(16) 외로부터 방전 공간(6)으로 직접, 원료 가스를 공급하는 관로(75)를, 구비하고 있다.</p>
申请公布号 KR101544329(B1) 申请公布日期 2015.08.12
申请号 KR20147000877 申请日期 2012.04.23
申请人 发明人
分类号 C23C16/452;C23C16/505;H01L21/31;H05H1/24 主分类号 C23C16/452
代理机构 代理人
主权项
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