摘要 |
<p>반도체 장치 제조에 이용될 수 있는 복합 박막 형성 방법에 있어서, 제1 중심 원소 및 제1 중심 원소와 결합한 리간드를 포함하는 제1 전구체를 대상체 상의 제1 흡착 사이트에 흡착시킨다. 흡착된 제1 전구체의 리간드 또는 제1 중심 원소를 제거하여 제2 흡착 사이트를 형성한다. 제2 흡착 사이트에 제2 전구체를 흡착시켜 대상체 상에 복합 박막을 형성한다. 대상체 상의 흡착 사이트의 생성 비율을 효과적으로 조절할 수 있기 때문에 원하는 조성비를 가지는 복합 박막을 용이하게 형성할 수 있다.</p> |