三族氮化合物半导体紫外光发光二极管

摘要

一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包括蓝宝石衬底、依次成长在该蓝宝石衬底上的n型半导体层、有源层以及p型半导体层。所述n型半导体层与有源层之间还成长有一n型应变层晶格结构。所述n型应变层晶格结构的晶格常数大于等于所述有源层的晶格常数，小于等于所述n型半导体层的晶格常数。所述n型应变层晶格结构使所述n型半导体层与所述有源层之间达成渐变晶格匹配，可以消除n型半导体层从下面传递来的缺陷，及减缓晶格部匹配造成的能带倾斜，以提升量子阱发光强度。

主权项

一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包括蓝宝石衬底、依次成长在该蓝宝石衬底上的n型半导体层、有源层以及p型半导体层，其特征在于，所述n型半导体层与有源层之间还成长有一n型应变层晶格结构，所述n型应变层晶格结构的晶格常数大于所述有源层的晶格常数，小于所述n型半导体层的晶格常数，使所述n型半导体层与所述有源层之间达成渐变晶格匹配,所述n型应变层晶格结构的具体结构为(Al_xGa_1‑xN‑GaN)_m，其由Al_xGa_1‑xN层和GaN层交替分布，其中0≦x≦1，m代表层数,所述n型应变层晶格结构中掺杂n型杂质，其浓度为10¹⁷EA/cm³‑10¹⁸EA/cm³，所述n型应变层晶格结构的厚度为2～2.5μm。