| 发明名称 | 具有不同宽度的栅极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有不同宽度的栅极结构及其制造方法。提供了半导体器件结构及其制造方法的实施例。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一金属栅极结构。第一金属栅极结构具有第一宽度。半导体器件结构进一步包括邻近第一金属栅极结构形成的第一接触件以及形成在衬底上方的第二金属栅极结构。第二金属栅极结构具有小于第一宽度的第二宽度。半导体器件结构进一步包括形成在第二金属栅极结构上方的绝缘层和自对准到第二金属栅极结构的第二接触件。 | ||
| 申请公布号 | CN104835838A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410406683.0 | 申请日期 | 2014.08.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 何伟硕;江宗育;张家铭;林俊铭 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：衬底；形成在所述衬底上方的第一金属栅极结构，其中，所述第一金属栅极结构具有第一宽度；邻近所述第一金属栅极结构形成的第一接触件；形成在所述衬底上方的第二金属栅极结构，其中，所述第二金属栅极结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；形成在所述第二金属栅极结构上方的绝缘层；以及自对准到所述第二金属栅极结构的第二接触件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||