发明名称 |
保护电路 |
摘要 |
一种保护电路(105),其包括:输入端(120);输出端(125);P型场效应晶体管(T1),其漏极连接端(D)与所述输入端(120)连接而其源极连接端(S)与所述输出端(125)连接;电容(C1),其在所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端(G)和地(130)之间;齐纳二极管(Z1),其负极与所述输出端(125)连接;电阻(R1),其在齐纳二极管(Z1)的正极和地(130)之间;二极管(D1),其正极与所述齐纳二极管(Z1)的正极连接而其负极与所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端(D)连接。 |
申请公布号 |
CN104838553A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201380064791.8 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
罗伯特·博世有限公司 |
发明人 |
W·科斯托茨 |
分类号 |
H02H3/18(2006.01)I;H02H11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02H3/18(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
曾立 |
主权项 |
一种保护电路(105),其包括:输入端(120);输出端(125);P型场效应晶体管(T1),其漏极连接端(D)与所述输入端(120)连接而其源极连接端(S)与所述输出端(125)连接;电容(C1),其在所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端(G)和地(130)之间;齐纳二极管(Z1),其负极与所述输出端(125)连接;电阻(R1),其在所述齐纳二极管(Z1)的正极和地(130)之间;二极管(D1),其正极与所述齐纳二极管(Z1)的正极连接而其负极与所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端连接。 |
地址 |
德国斯图加特 |