发明名称 |
膜片上FBAR结构的阵列式伽马辐照剂量计 |
摘要 |
本发明公开了膜片上FBAR结构的阵列式伽马辐照剂量计,其特征在于:包括检测元件、复合薄膜和Si基座,检测元件位于复合薄膜上面,复合薄膜用于支撑检测元件,Si基座位于复合薄膜下面;检测元件包括有若干呈矩形阵列式分布于复合薄膜上面的FBAR,FBAR由下到上依次包括底电极、压电层和顶电极,辐照敏感层设置于压电层与底电极之间或者设置于压电层与顶电极之间,底电极紧贴于复合薄膜上表面;Si基座设置有若干空腔,空腔与辐照敏感层在纵向上的位置一一对应,空腔用于形成体声波反射界面,空腔上面对应的复合薄膜区域为复合薄膜悬空区域;本发明具有尺寸小、灵敏度高、可检测辐照剂量分布、温度稳定性好和可制造性好等优点。 |
申请公布号 |
CN104833996A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510055517.5 |
申请日期 |
2015.02.03 |
申请人 |
中国工程物理研究院电子工程研究所 |
发明人 |
高杨;蔡洵;何婉婧;李君儒;黄振华;尹汐漾;赵俊武;赵坤丽 |
分类号 |
G01T1/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01T1/02(2006.01)I |
代理机构 |
成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 |
代理人 |
蒋斯琪 |
主权项 |
膜片上FBAR结构的阵列式伽马辐照剂量计,其特征在于:包括检测元件、复合薄膜和Si基座,检测元件位于复合薄膜上面,复合薄膜用于支撑检测元件,Si基座位于复合薄膜下面;检测元件包括有若干呈矩形阵列式分布于复合薄膜上面的FBAR,FBAR由下到上依次包括底电极、压电层和顶电极,辐照敏感层设置于压电层与底电极之间或者设置于压电层与顶电极之间,底电极紧贴于复合薄膜上表面;Si基座设置有若干空腔,空腔与辐照敏感层在纵向上的位置一一对应,空腔用于形成体声波反射界面,空腔上面对应的复合薄膜区域为复合薄膜悬空区域;所述FBAR的数量为N×M,N、M均为正整数。 |
地址 |
621900 四川省绵阳市919信箱522分箱 |