| 发明名称 | 绝缘栅双极型晶体管集电极-发射极饱和电压测量 | ||
| 摘要 | 在一个示例中，一种方法包括确定绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是饱和的，并且在IGBT饱和时，确定该IGBT的集电极-发射极饱和电压(V<sub>CEsat</sub>)。 | ||
| 申请公布号 | CN104833842A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510065158.1 | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | M·曼科尔;C·卡斯特罗塞拉托 |
| 分类号 | G01R19/25(2006.01)I | 主分类号 | G01R19/25(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种方法，包括：确定绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是饱和的；以及当所述IGBT为饱和时，确定所述IGBT的集电极‑发射极饱和电压(V<sub>CEsat</sub>)。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||