发明名称 METHOD OF DEPOSITING RUTHENIUM FILM
摘要 <p>본 발명의 실시예에 따른 루테늄 막 형성 방법에 의하면, 원자층 증착법으로 루테늄(Ru) 박막을 형성하는 단계와, 기상 반응법으로 산화 루테늄 박막을 형성하는 단계 후에, 암모니아(NH) 기체를 공급하여, 루테늄 박막 또는 산화 루테늄 내부의 산소를 환원시키는 단계를 포함함으로써, 박막 내 산소 함유량을 감소시키고, 고유전체 막과의 접합성을 향상시키며, 후처리 공정에서 응력 차이에 의해 막 분리 현상이 나타나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 원자층 증착 방법을 이용함으로써, 종횡비가 큰 표면에 단차 피복성이 우수한 루테늄 막을 형성할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101544198(B1) 申请公布日期 2015.08.12
申请号 KR20070104509 申请日期 2007.10.17
申请人 发明人
分类号 C23C16/00;C23C16/06 主分类号 C23C16/00
代理机构 代理人
主权项
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