发明名称 一种HIT太阳能电池
摘要 本实用新型公开了一种HIT太阳能电池,其包括:N型硅片,所述N型硅片具有受光面和背光面;设在N型硅片的受光面和背光面的本征非晶硅层;设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层;设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层;分别设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的ZnO透明导电膜层;设在ZnO透明导电膜上的ITO透明导电膜层;设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本实用新型基于高折射率Si材料红外宽带光谱减反膜设计原理,采用高折射率ZnO导电薄膜与低折射率ITO导电薄膜组成减反膜层在红外短波区域进一步降低HIT电池表面反射率,提高HIT电池的短路电流,从而提升电池转换效率。
申请公布号 CN204558502U 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201420822249.6 申请日期 2014.12.22
申请人 泉州市博泰半导体科技有限公司 发明人 杨与胜;葛洪;张超华;周泗海
分类号 H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/072(2012.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种HIT太阳能电池,其特征在于,包括:N型硅片,所述N型硅片具有受光面和背光面;设在N型硅片的受光面和背光面的本征非晶硅层;设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层;设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层;分别设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的ZnO透明导电膜层;设在ZnO透明导电膜上的ITO透明导电膜层;设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。
地址 362000 福建省泉州市鲤城区高新技术园区常泰街道仙塘社区钧石工业园区2号厂房