发明名称 |
一种HIT太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种HIT太阳能电池,其包括:N型硅片,所述N型硅片具有受光面和背光面;设在N型硅片的受光面和背光面的本征非晶硅层;设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层;设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层;分别设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的ZnO透明导电膜层;设在ZnO透明导电膜上的ITO透明导电膜层;设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本实用新型基于高折射率Si材料红外宽带光谱减反膜设计原理,采用高折射率ZnO导电薄膜与低折射率ITO导电薄膜组成减反膜层在红外短波区域进一步降低HIT电池表面反射率,提高HIT电池的短路电流,从而提升电池转换效率。 |
申请公布号 |
CN204558502U |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201420822249.6 |
申请日期 |
2014.12.22 |
申请人 |
泉州市博泰半导体科技有限公司 |
发明人 |
杨与胜;葛洪;张超华;周泗海 |
分类号 |
H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/072(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种HIT太阳能电池,其特征在于,包括:N型硅片,所述N型硅片具有受光面和背光面;设在N型硅片的受光面和背光面的本征非晶硅层;设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层;设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层;分别设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的ZnO透明导电膜层;设在ZnO透明导电膜上的ITO透明导电膜层;设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。 |
地址 |
362000 福建省泉州市鲤城区高新技术园区常泰街道仙塘社区钧石工业园区2号厂房 |