一种增大LCOS像素单元电路存储电容的器件结构

摘要

本实用新型提出了一种增大硅基液晶显示面板LCOS像素单元电路存储电容的器件结构，属于信息科学技术学科的微电子技术领域。LCOS像素单元器件结构设置在P型硅衬底上，具有N型阱，PMOS存取晶体管，NMOS存取晶体管，像素电容，叠层式金属电容以及窄型深P⁺注入电容。本实用新型建立了合理的像素单元器件结构，NMOS存取晶体管和PMOS存取晶体管形成互补的MOS传输门，有效降低了像素输入数据的损耗，并且通过合理利用工艺现有金属层来制造高密度叠层式金属电容，通过在P型硅衬底内部深注入的P⁺形成窄平板型电容器，并使上述两种电容器与像素单元的像素电容并联，由此得以增大存储电容器的电容值。

主权项

一种增大硅基液晶显示面板LCOS像素单元电路存储电容的器件结构，其特征在于包括PMOS存取晶体管(1)、NMOS存取晶体管(2)、N型阱(3)、第一像素电容(4)、第一叠层式金属电容(5)、第一窄型深P⁺注入电容(6)、第二像素电容(7)、第二叠层式金属电容(8)、第二窄型深P⁺注入电容(9)和P型硅衬底(10)；所述的N型阱(3)、NMOS存取晶体管(2)、第一窄型深P⁺注入电容(6)和第二窄型深P⁺注入电容(9)放置于P型硅衬底(10)上，PMOS存取晶体管(1)放置于N型阱(3)内；NMOS存取晶体管(2)的栅极G连接至第一寻址信号线SCAN上，漏极D连接至第一像素电容(4)；PMOS存取晶体管(1)的栅极G连接至第二寻址信号线SCAN上，漏极D连接至第二像素电容(7)；PMOS存取晶体管(1)的漏极和NMOS存取晶体管(2)的漏极相连，PMOS存取晶体管(1)的源极和NMOS存取晶体管(2)的源极S均连接至同一列数据输入线DATA以接收图像信息；NMOS存取晶体管(2)和PMOS存取晶体管(1)形成互补的MOS传输门；覆盖在第一像素电容(4)之上的第一层金属(M1)、第二层金属(M2)、第三层金属(M3)和第四层金属(M4)形成第一叠层式金属电容(5)，第一像素电容(4)、第一叠层式金属电容(5)和第一窄型深P+注入电容(7)具有公共端即并联；与NMOS存取晶体管(2)相连接的第一叠层式金属电容(5)的第一层金属(M1)连接至地信号线GND；覆盖在第二像素电容(7)之上的第一层金属(M1)、第二层金属(M2)、第三层金属(M3)和第四层金属(M4)形成第二叠层式金属电容(8)，第二像素电容(7)、第二叠层式金属电容(8)和第二窄型深P+注入电容(9)具有公共端即并联；与PMOS存取晶体管(1)相连接的第二叠层式金属电容(8)中的第一层金属M1连接至电源信号线VCC；NMOS存取晶体管(2)和PMOS存取晶体管(1)形成互补的MOS传输门。