| 发明名称 | 化学机械研磨的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种化学机械研磨的方法。所述方法包括：对基片进行第一研磨，直到所述基片的边缘区域的厚度达到第一预定值且所述基片的所述边缘区域的厚度小于所述基片的中心区域的厚度；对所述基片进行第二研磨，直到所述基片的所述中心区域的厚度达到第二预定值，在所述第二研磨过程中对所述边缘区域和所述中心区域施加的压力比小于在所述第一研磨过程中对所述边缘区域和所述中心区域施加的压力比；以及对所述基片进行第三研磨，在所述第三研磨过程中所述基片往复移动。根据本发明的化学机械研磨的方法能够提高研磨后的片内均匀性。同时，该方法不需要对现有的化学机械研磨设备进行改进，能够节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104827382A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410045890.8 | 申请日期 | 2014.02.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王贤超;奚民伟 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨的方法，其特征在于，所述方法包括：对基片进行第一研磨，直到所述基片的边缘区域的厚度达到第一预定值且所述基片的所述边缘区域的厚度小于所述基片的中心区域的厚度；对所述基片进行第二研磨，直到所述基片的所述中心区域的厚度达到第二预定值，在所述第二研磨过程中对所述边缘区域和所述中心区域施加的压力比小于在所述第一研磨过程中对所述边缘区域和所述中心区域施加的压力比；以及对所述基片进行第三研磨，在所述第三研磨过程中所述基片往复移动。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||