发明名称 |
薄膜晶体管基板及显示装置 |
摘要 |
一种显示装置,该显示装置包括薄膜晶体管基板及与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板,该薄膜晶体管基板包括薄膜晶体管、第一公共电极线及存储电容线,该第一公共电极线设置于该显示装置的周边区中,该存储电容线位于该显示装置的显示区,该第一公共电极线及该存储电容线与该薄膜晶体管的栅极位于同一层中,且该第一公共电极线与该存储电容线直接连接。将周边区中靠近显示区的第一公共电极线与存储电容线制作于同一层中,减少桥接,降低线路桥接带来的阻抗和耦合电容,提高显示效果。 |
申请公布号 |
CN104834136A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510177213.6 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
深超光电(深圳)有限公司 |
发明人 |
余文强;王明宗;柳智忠;郑亦秀 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 |
代理人 |
汪飞亚 |
主权项 |
一种显示装置,该显示装置包括薄膜晶体管基板及与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板,该薄膜晶体管基板包括第一基底、薄膜晶体管、第一公共电极线及存储电容线,该薄膜晶体管、该第一公共电极线及该存储电容线设置于该第一基底上,该第一公共电极线设置于该显示装置的周边区中,该存储电容线设置于该显示装置的显示区中,其特征在于,该第一公共电极线及该存储电容线与该薄膜晶体管的栅极位于同一层中,且该第一公共电极线与该存储电容线直接连接。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋 |