一种离子注入损伤深度的测试方法

摘要

本发明公开了一种离子注入损伤深度的测试方法，包括在硅片衬底上生长高应力的氮化硅薄膜，进行离子注入释放氮化硅薄膜的应力，对氮化硅薄膜进行若干次一定时间的湿法刻蚀并测厚，得出氮化硅损耗；将每次刻蚀后的氮化硅损耗与本征氮化硅损耗进行对比，当二者的差异落入一差异率限值内时，对氮化硅损耗进行加和，计算出总的氮化硅损耗量，该总的氮化硅损耗量即为所述氮化硅薄膜被离子注入损伤的深度值。本发明能监控离子注入工艺在氮化硅中的注入损伤深度，实现精确控制离子在氮化硅中的注入深度，为等离子注入释放应力应用到CESL高应力薄膜上提供了检测手段。

主权项

一种离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一硅片衬底，在所述硅片衬底上生长一层氮化硅薄膜，然后对所述氮化硅薄膜进行紫外线照射，使所述氮化硅薄膜获得高应力；步骤S02：对所述氮化硅薄膜进行离子注入，使所述氮化硅薄膜的应力得到释放，并测得所述氮化硅薄膜的初始厚度；步骤S03：采用湿法工艺对所述氮化硅薄膜进行若干次一定时间的刻蚀，并在每次刻蚀后测得所述氮化硅薄膜的厚度，得出每次刻蚀后的氮化硅损耗；步骤S04：将每次刻蚀后的氮化硅损耗与本征氮化硅损耗进行对比，当某次刻蚀后二者的差异落入一差异率限值内时，则停止后续刻蚀，并对该次前各次的氮化硅损耗进行加和，计算出总的氮化硅损耗量，该总的氮化硅损耗量即为所述氮化硅薄膜被离子注入损伤的深度值。