基于MOS工艺的高压集成芯片

摘要

基于MOS工艺的高压集成芯片，包括外延层，还包括基底注入层，所述基底注入层顶部设置有第一注入区，基底注入层两侧设置有第二注入区，所述第二注入区远离基底注入层的一侧还设置有纵向隔离层，所述基底注入层下方设置有横向隔离层；所述第二注入区的底部与横向隔离层顶部接触，所述第二注入区与第一注入区之间由表面浅注入层分隔；所述横向隔离层与纵向隔离层均位于外延层上方。采用本实用新型所述基于MOS工艺的高压集成芯片，在器件表面采用浅注入区隔离PN结，同时可以根据实际需要连接任意电位，采用电极分隔的形式取得了较好的耐压性能。

主权项

基于MOS工艺的高压集成芯片，包括外延层，其特征在于，还包括基底注入层，所述基底注入层顶部中央设置有第一注入区，基底注入层两侧设置有第二注入区，所述第二注入区远离基底注入层的一侧还设置有纵向隔离层，所述基底注入层下方设置有横向隔离层；所述第二注入区的底部与横向隔离层顶部接触，所述第二注入区与第一注入区之间由表面浅注入层分隔；所述横向隔离层与纵向隔离层均位于外延层上方；所述第一注入区、纵向隔离层、横向隔离层、外延层均为第一掺杂类型，所述第二注入区、基底注入层、表面浅注入层均为第二掺杂类型，表面浅注入层的掺杂浓度低于基底注入层，基底注入层的掺杂浓度低于第二注入区，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型为载流子分别为电子和空穴的不同掺杂类型。