发明名称 |
一种MEMS麦克风的封装结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种MEMS麦克风的封装结构,包括封装基板以及封装外壳,所述封装外壳设置在封装基板上并与封装基板形成密闭容腔,还包括供声音流入密闭容腔的声孔;所述封装外壳、封装基板、声孔共同构成了亥姆赫兹共振腔,所述亥姆赫兹共振腔内设有MEMS芯片、ASIC芯片;所述亥姆赫兹共振腔的至少部分内壁上设有吸音层。本实用新型的封装结构,在亥姆赫兹共振腔的内壁上设置有吸音层,该吸音层对高频声波具有一定的吸收能力,对低频声波的吸收较少,可以等效为一“低通滤波器”;通过对高频声波的吸收,可以对声波的高频幅值进行抑制,降低了亥姆赫兹共振腔的高频响应,也就是说,提高了声波的高频截止频率,提高了MEMS麦克风的工作带宽。 |
申请公布号 |
CN204559881U |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201520288361.0 |
申请日期 |
2015.05.06 |
申请人 |
歌尔声学股份有限公司 |
发明人 |
郑国光 |
分类号 |
H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R19/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 |
代理人 |
马佑平;王昭智 |
主权项 |
一种MEMS麦克风的封装结构,其特征在于:包括封装基板(1)以及封装外壳(4),所述封装外壳(4)设置在封装基板(1)上并与封装基板(1)形成密闭容腔,还包括供声音流入密闭容腔的声孔(5);所述封装外壳(4)、封装基板(1)、声孔(5)共同构成了亥姆赫兹共振腔,所述亥姆赫兹共振腔内设有MEMS芯片(3)、ASIC芯片(2);所述亥姆赫兹共振腔的至少部分内壁上设有吸音层(6)。 |
地址 |
261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号 |