发明名称 |
一种NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底的处理方法 |
摘要 |
本发明提供一种NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底的处理方法,所述处理方法包括步骤:首先,提供一待处理的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底,所述待处理的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面;然后,将所述待处理的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底进行酸刻蚀,使所述NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面;最后,将所述NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底置于高温炉中进行退火,获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底,并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶,有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。 |
申请公布号 |
CN104831348A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510268586.4 |
申请日期 |
2015.05.22 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
杨海峰;沈大伟;李明颖;刘正太;姚岐;樊聪聪;刘吉山 |
分类号 |
C30B19/12(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B19/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
唐棉棉 |
主权项 |
一种NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底的处理方法,其特征在于,所述处理方法至少包括:1)提供一待处理的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底,所述待处理的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面;2)将所述待处理的NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底进行酸刻蚀,使所述NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面;3)将所述NdGaO<sub>3</sub>单晶衬底置于高温炉中进行退火,获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |