| 发明名称 | 半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT | ||
| 摘要 | 半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT。一种半导体器件包括半导体主体，该半导体主体包括：第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极电极。发射极电极包括与发射极区直接欧姆接触的金属硅化物层。发射极区的直接邻接金属硅化物层的部分中的净杂质浓度是最多1 x 10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN104835839A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510074493.8 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | T.古特;V.科马尼茨基;D.韦伯 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;徐红燕 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括半导体主体，所述半导体主体包括：第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极，包括与发射极区直接欧姆接触的金属硅化物层，其中发射极区的直接邻接金属硅化物层的部分中的净杂质浓度是最多1 x 10<sup>17</sup> cm<sup>‑3</sup>。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||