| 发明名称 | 具有松弛硅/锗鳍片的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有松弛硅/锗鳍片的集成电路，提供具有松弛硅和锗鳍片的集成电路以及制造此类集成电路的方法。该方法包括在结晶硅衬底上方形成结晶硅和锗复合层，其中，复合层晶格松弛。在该复合层中形成鳍片，以及在该鳍片上方形成栅极。移除位于该栅极的相对侧上的该鳍片的部分，以形成漏极开口及源极开口，并分别在该源极开口及漏极开口中形成源极及漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN104835744A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510070796.2 | 申请日期 | 2015.02.11 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | A·卫;刘金平;S·M·高;A·金德伦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造集成电路的方法，包括：在衬底上方形成复合层，其中，该复合层包括结晶硅和锗，且该衬底包括结晶硅，以及其中，复合层晶格松弛；自该复合层形成鳍片；在该鳍片上方形成栅极；移除位于该栅极的相对侧上的该鳍片的部分，以形成源极开口及漏极开口；以及在该源极开口中形成源极以及在该漏极开口中形成漏极。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||