| 发明名称 | 室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O<sub>3</sub>反应器中，保持体系的相对湿度为30～90%，在氧气或空气存在的条件下，10～40℃反应1～2小时，即可在基底表面原位制得Ag<sub>x</sub>O（AgO或Ag<sub>2</sub>O）半导体薄膜材料，所述的UV-O<sub>3</sub>反应器即UV-O<sub>3</sub>清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂，操作简单，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103602945B | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201310578315.X | 申请日期 | 2013.11.15 |
| 申请人 | 许昌学院 | 发明人 | 郑直;魏杰;雷岩;贾会敏;王捷;葛素香 |
| 分类号 | C23C8/12(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C8/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 乔宇 |
| 主权项 | 室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV‑O<sub>3</sub>反应器中，保持体系的相对湿度为30~90%，在氧气或空气存在的条件下，10~40<sup>0</sup>C反应1~2小时，即可在基底表面原位制得Ag<sub>x</sub>O半导体薄膜材料，所述的UV‑O<sub>3</sub>反应器即UV‑O<sub>3</sub>清洗机，所述的Ag<sub>x</sub>O为AgO或Ag<sub>2</sub>O。 | ||
| 地址 | 461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院 | ||