| 发明名称 | 高耐压氮化镓系半导体设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高耐压氮化镓系半导体设备及其制造方法，在抑制制造成本增加的同时适合作为高耐压用功率设备。其是将含有漂移层(107)的n型氮化镓系半导体层(103)形成于n型氮化镓自支撑衬底(101)的表面，反向耐压为3000V以上的高耐压氮化镓系半导体设备，在漂移层(107)中，施加不发生击穿现象的最大容许电压作为反向偏压时的电场强度为1.5MV/cm以下的区域的碳浓度为3.0×10<sup>16</sup>/cm<sup>3</sup>以上。 | ||
| 申请公布号 | CN104835833A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410397655.7 | 申请日期 | 2014.08.13 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 金田直树 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 一种高耐压氮化镓系半导体设备，其是将含有漂移层的n型氮化镓系半导体层形成于n型氮化镓自支撑衬底的表面，反向耐压为3000V以上的高耐压氮化镓系半导体设备，其特征在于，在所述漂移层中，施加不发生击穿现象的最大容许电压作为反向偏压时的电场强度为1.5MV/cm以下的区域的碳浓度为3.0×10<sup>16</sup>/cm<sup>3</sup>以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||