半导体器件封装结构的检测方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件封装结构的检测方法，包括：利用热阻测试仪检测待测的半导体器件封装结构，得到第一微分热阻结构函数曲线；对该封装结构进行失效试验；利用热阻测试仪检测该封装结构，得到第二微分热阻结构函数曲线；比较所得到的两条曲线，若第二曲线相对于第一曲线各点的偏离度均小于或等于偏离度阈值，则该封装结构未失效，若第二曲线相对于第一曲线存在偏离度大于偏离度阈值的点，则该封装结构失效，偏离度大于偏离度阈值的点所在的层结构曲线表示的层结构为该封装结构的失效部位。本发明所提供的方法能够在提高检测结果的准确性、降低检测过程的安全隐患、降低检测成本的基础上，实现对半导体封装器件的无损检测。

主权项

一种半导体器件封装结构的检测方法，其特征在于，包括：利用热阻测试仪检测待测的半导体器件封装结构，得到所述半导体器件封装结构的第一微分热阻结构函数曲线，所述第一微分热阻结构函数曲线包括多段首尾相连的层结构曲线，每段所述层结构曲线均表示所述半导体器件封装结构的一层结构；对所述半导体器件封装结构进行失效试验；利用热阻测试仪检测所述半导体器件封装结构，得到所述半导体器件封装结构的第二微分热阻结构函数曲线，所述第二微分热阻结构函数曲线包括多段首尾相连的层结构曲线，每段所述层结构曲线均表示所述半导体器件封装结构的一层结构；比较所述第一微分热阻结构函数曲线和第二微分热阻函数曲线，若所述第二微分热阻结构函数曲线相对于所述第一微分热阻结构函数曲线各点的偏离度均小于或等于偏离度阈值，则判断所述半导体器件封装结构未失效，若所述第二微分热阻结构函数曲线相对于所述第一微分热阻结构函数曲线存在偏离度大于所述偏离度阈值的点，则判断所述半导体器件封装结构失效，偏离度大于所述偏离度阈值的点所在的层结构曲线表示的层结构为所述半导体器件封装结构的失效部位。