| 发明名称 |
パッシベートされたシリコンナノワイヤーの製造方法およびこれにより得られるデバイス |
| 摘要 |
<p>Methods for fabricating passivated silicon nanowires and an electronic arrangement thus obtained are described. Such arrangements may comprise a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure such that the arrangements may be utilized for MOS field-effect transistors (MOSFETs) or opto-electronic switches.</p> |
| 申请公布号 |
JP5763629(B2) |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
| 申请号 |
JP20120517704 |
申请日期 |
2010.06.23 |
| 申请人 |
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发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/808;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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