| 发明名称 | 外延生长用石墨承载盘 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及外延生长用石墨承载盘，包括复数个晶片承载区和非晶片承载区，在所述石墨承载盘正面的非晶片承载区上表面设置有用于调控温场的凹槽结构，该凹槽结构包括设置在石墨承载盘边缘非晶片承载区的多个第一凹槽和设置在石墨承载盘远离边缘非晶片承载区的多个第二凹槽或该凹槽结构包括多个第一凹槽或多个第二凹槽。本实用新型通过在石墨承载盘上表面的非晶片承载区设置凹槽结构，实现石墨承载盘上表面气流和温场均匀的有益效果。 | ||
| 申请公布号 | CN204550790U | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201520129541.4 | 申请日期 | 2015.03.06 |
| 申请人 | 安徽三安光电有限公司 | 发明人 | 黄文宾;林忠宝;谢祥彬;林兓兓;张家宏 |
| 分类号 | C30B25/12(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 外延生长用石墨承载盘，包括分布于石墨承载盘上表面的复数个晶片承载区，以及分布于相邻晶片承载区之间的非晶片承载区，其特征在于：所述非晶片承载区上表面设置用于调控温场的凹槽结构。 | ||
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||