发明名称 | 具有成环连接的霍尔效应区的电子器件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种具有成环连接的霍尔效应区的电子器件。该电子器件包括n个霍尔效应区,其中n>1,其中,这n个霍尔效应区彼此隔离。该电子器件还包括在n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触,其中,这些接触包括:各个霍尔效应区的第一接触和第二接触。对于k=1至n-1,第(k+1)个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触,且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触。这至少八个接触包括至少两个供电接触和至少两个检测接触。各个霍尔效应区包括至少两个供电接触中的至多一个和至少两个检测接触中的至多一个。 | ||
申请公布号 | CN102889952B | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
申请号 | CN201210257072.5 | 申请日期 | 2012.07.23 |
申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 乌多·奥塞尔勒基纳 |
分类号 | G01L1/12(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/12(2006.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
主权项 | 一种电子器件,包括:整数n个霍尔效应区,其中n>1,其中,所述n个霍尔效应区彼此隔离;至少一个浮接接触,所述浮接接触形成在所述霍尔效应区中的至少一个的表面内或表面上;其中,所述电子器件包括在所述n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触,其中,所述接触包括各个霍尔效应区的第一接触和第二接触;其中,对于k=1至n‑1,第(k+1)个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触,且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触;其中,所述至少八个接触包括至少两个供电接触和至少两个检测接触;其中,各个霍尔效应区包括所述至少两个供电接触中的一个;以及其中,各个霍尔效应区包括所述至少两个检测接触中的一个。 | ||
地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 |