| 发明名称 | 一种提高半导体器件键合可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高半导体器件键合可靠性的方法，包括步骤：首先，提供进行高温筛选测试后的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括至少两个半导体器件单元，其中，每个半导体器件单元表面形成具有残留颗粒的焊垫；采用刻蚀工艺去除所述焊垫上的残留颗粒；最后，在所述焊垫表面进行引线键合。本发明提供的提高半导体器件键合可靠性的方法是在进行了半导体晶圆的高温筛选测试之后，增加一道刻蚀步骤，用于去除焊垫表面的残留颗粒，保证焊垫表面的平整度，从而提高半导体器件的键合可靠性，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104835748A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410045835.9 | 申请日期 | 2014.02.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张楠生 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种提高半导体器件键合可靠性的方法，其特征在于，所述提高半导体器件键合可靠性的方法至少包括步骤：1）提供进行高温筛选测试后的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括至少两个半导体器件单元，其中，每个半导体器件单元表面形成具有残留颗粒的焊垫；2）采用刻蚀工艺去除所述焊垫上的残留颗粒；3）在所述焊垫表面进行引线键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||