| 摘要 |
<p>도전성막 하방의 디바이스 웨이퍼에 형성되어 있는 소자나 미세한 배선 등까지 강한 자속을 미치지 않고, 그 결과 전자 유도에 의해 유발되는 와전류의 발생을 억제하여, 와전류에 의한 줄열 손실을 극소로 억제함과 동시에, 디바이스 웨이퍼를 관통하지 않을 정도의 미세한 자장의 경우에도, 충분히 정밀도 좋게 연마 완료 시점을 예측하여 검지하는 연마 완료 시점의 예측 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 소정의 도전성막(28)에 인덕터형 센서에 있어서의 인덕터(36)를 근접시켜, 이 인덕터(36)로 형성되는 자속에 의해 소정의 도전성막(28)에 유발되는 자속 변화를 모니터하고, 소정의 도전성막(28)의 재질을 일 인자(因子)로서 결정되는 표피 효과에 기초하여, 연마의 진행에 의한 막 두께 감소에 따라 형성되는 와전류가 증대하는 과정과, 그대로 연마를 진행시킨 경우에 막 두께 감소에 따라 형성되는 와전류가 실질적으로 감소하는 과정이 존재하고, 소정의 도전성막(28)에 유발되는 자속의 특징적인 변화를 기초로 연마 완료 시점을 예측함과 동시에, 소정의 도전성막(28)에 유발되는 자속을 경감 내지는 오프로 하는 연마 완료 시점의 예측 방법을 제공하는 것이다.</p> |
