发明名称 | 侧壁影像移转间距加倍及线内临界尺寸缩窄 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI496192 | 申请公布日期 | 2015.08.11 |
申请号 | TW100141627 | 申请日期 | 2011.11.15 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 旦恩 雪诺W;海哲 大卫 |
分类号 | H01L21/033 | 主分类号 | H01L21/033 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 | |
主权项 | 一种图案化基板之方法,包含:使用微影制程在辐射敏感材料层中准备一图案,该微影制程包含以一显影溶液来显影该图案,以及该图案之特征在于临界尺寸(CD);在准备该图案之后,执行CD缩窄制程以将该CD缩减为缩减CD,该CD缩窄制程包含:将一含酸溶液涂布到该图案之一表面上;烘烤该基板以将该酸从该表面扩散到该图案的一表面区域中,以改变达到一预定深度之该图案的该表面区域之溶解度,而使得该已改变之表面区域变为可溶于另一显影溶液;以及藉由在该基板上施予该另一显影溶液而将该另一显影溶液涂布至该已改变之表面区域,以去除达到该预定深度之该图案的该表面区域;在具有该缩减CD之该图案上方保形地沉积一材料层;使用蚀刻制程部分地去除该材料层,以暴露该图案之上表面、清除该材料层在该图案之邻近特征部间之底部区域之部分、以及将该材料层之余留部分保留在该图案之侧壁上;以及使用一或多次蚀刻制程来去除该图案,以留下最终图案,该最终图案包含该材料层余留在该图案之侧壁上之该余留部分。 | ||
地址 | 日本 |