发明名称 用于三维拓朴晶圆之微影模型
摘要
申请公布号 TWI495961 申请公布日期 2015.08.11
申请号 TW101125925 申请日期 2012.07.18
申请人 ASML荷兰公司 发明人 刘朋
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 林嘉兴 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用于模拟由一入射辐射引起之形成于一基板上之一抗蚀剂层内之一影像的方法,该基板具有在该抗蚀剂层中或下伏于该抗蚀剂层之特征,该方法包含:基于该等特征之特性而使用一或多个散射函数来判定一基板特定散射函数,其中该基板特定散射函数藉由该等特征来特性化该入射辐射在该抗蚀剂层内之散射。
地址 荷兰