发明名称 Siliziumkarbid-Substrat und Epitaxie-Wafer
摘要 <p>Siliziumkarbidsubstrat (10) mit einer Hauptoberfläche (11) und Rückständen auf der Hauptoberfläche (11), wobei die Hauptfläche (11) unter Verwendung einer ersten alkalischen Lösung gewaschen wird; und die Hauptfläche (11) nach dem Waschen der Hauptoberfläche (11) mit der ersten alkalischen Lösung unter Verwendung einer zweiten alkalischen Lösung gewaschen wird, ein Mittelwert der Rückstände auf der mit der zweiten alkalischen Lösung gewaschenen Hauptfläche (11) zahlenmäßig gleich oder größer als 0,2 und kleiner als 200 ist.</p>
申请公布号 DE202009019026(U1) 申请公布日期 2015.08.11
申请号 DE20092019026U 申请日期 2009.12.17
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人
分类号 H01L29/161;H01L21/302 主分类号 H01L29/161
代理机构 代理人
主权项
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