| 主权项 |
一种非挥发性记忆体，具有一第一一位元记忆胞形成于一基板上，该第一一位元记忆胞包括：一第一位元线；以及N个储存单元，每一该储存单元包括：一第一掺杂区，一第二掺杂区、以及一第三掺杂区依序形成于该基板的一表面上，该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的一第一通道区上方具有一第一闸极结构，该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的一第二通道区上方具有一第二闸极结构；其中，该N个储存单元中的一第一储存单元的该第一掺杂区连接至该第一位元线，该第一闸极结构连接至一第一控制信号线，该第二闸极结构连接至一第一反熔丝信号线；以及，该N个储存单元中的一第m储存单元中的该第一掺杂区连接至一第(m-1)储存单元中的该第三掺杂区，该第一闸极结构连接至一第m控制信号线，该第二闸极结构连接至一第m反熔丝信号线，且m为大于等于二且小于等于N的整数。 |
