用于功率金氧半导体场效电晶体之双电压多晶矽二极体静电放电电路

主权项

一种用于一离散功率半导体装置或整合于一更大电路中之一功率半导体装置的输入保护电路，其包含：一输入端子，一参考端子及一输出端子，其用于连接至一受保护功率半导体装置；一第一支路，其系耦合于该输入端子与该参考端子之间，其包含具有一第一崩溃电压的至少一对背对背齐纳二极体；以及一或多个其他支路，其系耦合于该输出端子与该参考端子之间，每一其他支路包含具有另一崩溃电压之至少一对背对背齐纳二极体，其中该等支路至少一者包括一与该至少一对背对背齐纳二极体串联之镇流电阻器以及；其中其他崩溃电压等于或大于该第一崩溃电压。