| 发明名称 |
双功函数半导体元件及其制法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI496246 |
申请公布日期 |
2015.08.11 |
| 申请号 |
TW097143823 |
申请日期 |
2008.11.13 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心 |
发明人 |
张守仁;哈夫曼 汤玛斯Ｙ;玻陀斯 杰佛瑞;于洪宇 |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L27/092 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种制作双功函数半导体元件的方法，包括：提供具有一第一区与一第二区之一基底；于该第一区与该第二区上形成一闸极介电层；于该闸极介电层上形成一金属闸极层，其中该金属闸极层具有一第一(初镀)功函数，该第一(初镀)功函数可以藉由于其上引发应变而调整；以及选择性形成一第一应变导电层于该第一区之该金属闸极层上，该第一应变导电层施加一选定之应变于该金属闸极层上，因而引发该第一区之该金属闸极层的该第一(初镀)功函数产生一第一预定功函数偏移(ΔWF1)。 |
| 地址 |
比利时 |
