发明名称 埋入式位元线的制作方法
摘要
申请公布号 TWI496247 申请公布日期 2015.08.11
申请号 TW101121703 申请日期 2012.06.18
申请人 美光科技公司 发明人 田中勋;蔡健华
分类号 H01L21/8242;H01L21/28;H01L27/108 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种埋入式位元线的制作方法,包含有下列步骤:S1:于一基板之表面定义复数平行设置的罩覆区域以及复数第一蚀刻区域,每一第一蚀刻区域形成于任二罩覆区域之间,其中该罩覆区域之宽度大于该第一蚀刻区域之宽度;S2:蚀刻位于该第一蚀刻区域的该基板,以形成复数对应该些第一蚀刻区域的第一沟渠以及复数对应该罩覆区域的第一柱状体;S3:于该第一沟渠之两侧壁进行复数第一导电离子的布植,而使该第一柱状体的两侧分别形成一位元线;S4:填充一填充物于该些第一沟渠内;S5:于该些第一柱状体上分别形成一第二蚀刻区域,并使复数该第二蚀刻区域不相邻接触该些填充物,且复数该第二蚀刻区域平行复数该第一蚀刻区域;以及S6:蚀刻复数该第二蚀刻区域以形成复数第二沟渠及复数第二柱状体,并使该些第二柱状体分别对应于该位元线。
地址 美国