发明名称 半导体装置、该半导体装置的制造方法及电子元件
摘要
申请公布号 TWI496251 申请公布日期 2015.08.11
申请号 TW101103353 申请日期 2012.02.02
申请人 富士通股份有限公司 发明人 谷元昭;冈本圭史郎
分类号 H01L23/34;H01L21/58 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种半导体装置,包括:半导体元件,包含第一电极;基板,包含第二电极和凹部;以及散热黏着材料,将该半导体元件安置于该凹部中以便将该第一电极配置成靠近该第二电极,其中该第一电极耦接至该第二电极,而该散热黏着材料覆盖该半导体元件之底表面和至少部分之侧表面,其中,配置有该第一电极之该半导体元件之周边之第一部分和配置有该第二电极之该凹部之周边之第二部分彼此以第一距离面对;未配置该第一电极之该半导体元件之周边之第三部分和未配置该第二电极之该凹部之周边之第四部分彼此以大于该第一距离之第二距离面对;以及该散热黏着材料覆盖于该第二部分之该半导体元件之该侧表面之至少一部分。
地址 日本