发明名称 侧壁形成制程
摘要
申请公布号 TWI496208 申请公布日期 2015.08.11
申请号 TW098131540 申请日期 2009.09.18
申请人 兰姆研究公司 发明人 西瑞格里安诺 彼得;苏 海伦;金智秀;沙价迪 S M 瑞加
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路37号10楼
主权项 一种在图案化光阻遮罩下的蚀刻层中形成特征部的方法,该图案化光阻遮罩具有数个光阻特征部,该等光阻特征部具有第一临界尺寸,该方法包含:[A]执行复数个侧壁形成制程,该复数个侧壁形成制程中之各者包含:(A1)藉由执行复数个循环沉积,将一保护层沉积在该图案化光阻遮罩上,该复数个循环沉积之各者包含:一沉积阶段,用以将一沉积层沉积在该图案化光阻遮罩的数个表面上;及一轮廓塑形阶段,其包括在该沉积层中塑形数个垂直表面;及(A2)相对于该沉积层之数个垂直表面选择性地蚀刻该保护层之数个水平表面;及[B]蚀刻该蚀刻层,以在该蚀刻层中形成一特征部,该蚀刻层中之该特征部具有小于该第一临界尺寸的第二临界尺寸。
地址 美国