| 发明名称 |
化合物半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI496283 |
申请公布日期 |
2015.08.11 |
| 申请号 |
TW100139118 |
申请日期 |
2011.10.27 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
尾崎史朗;中村哲一;多木俊裕;金村雅仁 |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L21/335;H01L21/8234 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种化合物半导体装置，包含：一化合物半导体层；以及一闸极电极，其系形成于该化合物半导体层上，其中，于该化合物半导体层之一表面上之一化合物半导体系以氟终结，其中，该化合物半导体层之该表面上之氮原子数及金属原子数之一比率系不少于0.84，亦不多于1，其中，该化合物半导体层之该表面上之氧原子数对总原子数之一比率系不少于2%，亦不多于6%。
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| 地址 |
日本 |
