Полупроводниковый датчик аммиака, содержащий непроводящую подложку и полупроводниковое основание с металлическими электродами, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено в виде пластины монокристаллического арсенида галлия..
申请公布号
RU153906(U1)
申请公布日期
2015.08.10
申请号
RU20140130612U
申请日期
2014.07.22
申请人
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"